Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры осцилляция коэффициента прохождения электронов в зависимости от их энергии, которая обусловлена
МКЭ-анализ осевой динамики ползуна тяжелого СФР-станка найдены три осевых резонанса: MS1 (~14 Гц, изгиб стойки), MS3 (~26 Гц
осцилляция ползуна на винте) и M
Synthesis and Magnetic Properties of [(CoP)soft/NiP/(CoP)hard/NiP]n Films намагничивания при сопряжении магнитомягкого и магнитожесткого слоев, и
осцилляция поля насыщения в зависимости