Влияние режимов формирования силицида платины методом быстрой термообработки на параметры диодов ШотткиСолодуха, В. А.,
Пилипенко, В. А.,
Горушко, В. А.,
Филипеня, В. А.,
Saladukha, V. А.,
Pilipenko, V. А.,
Gorushko, V. А.,
Philipenya, V. А границы раздела PtSi–Si,
а также получения в результате обработки менее дефектной
и равновесной
Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройствСолодуха, В. А.,
Пилипенко, В. А.,
Горушко, В. А.,
Saladukha, V. А.,
Pilipenko, V. А.,
Gorushko, V. A. , величина заряда пробоя подзатворного диэлектрика,
а также проведены его термополевые испытания. Пробивное
Электронномикроскопические исследования системы Pt-Si при ее быстрой термообработкеСолодуха, В. А.,
Пилипенко, В. А.,
Комаров, Ф. Ф.,
Горушко, В. А.,
Saladukha, V. А.,
Pilipenko, V. А.,
Komarov, F. F.,
Gorushko, V. A. более четкий контраст от зерен,
а затем наблюдается их рост, что говорит о формировании новой фазы
Влияние временных режимов термообработки на микроструктуру системы Pt-SiСолодуха, В. А.,
Пилипенко, В. А.,
Комаров, Ф. Ф.,
Горушко, В. А.,
Saladukha, V. А.,
Pilipenko, V. А.,
Komarov, F. F.,
Gorushko, V. A. раздела PtSi-Si не превышает 15,9 нм,
а размер зерен 37,7 нм. Это в 2,5 и 3,1 раза меньше, чем в случае