Моделирование электрических характеристик приборных структур, включающих наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями : отчет о НИР (заключ.)

Абрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Щербакова, И. Ю.; Abramov, I. I.

Моделирование электрических характеристик приборных структур, включающих наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями : отчет о НИР (заключ.)

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Щербакова, И. Ю., Abramov, I. I.

Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T18:04:34Z

Аннотация:

В результате выполнения по НИР получены следующие основные результаты. Разработана модель наноэлектронных приборных структур на эффекте резонансного туннелирования, учитывающая влияние зоны проводимости и валентной зоны. Получено удовлетворительное согласование результатов расчетов с экспериментальными данными. Разработаны средства моделирования приборных структур на эффекте резонансного туннелирования, включающие наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями. С использованием разработанных модели и средств моделирования исследованы закономерности функционирования данных структур в зависимости от их конструктивно- технологических параметров.

Ключевые слова:
отчеты о НИР, резонансное туннелирование, численные комбинированные модели, резонансно-туннельный диод, Si/Ge

Тип: Technical Report