Численное моделирование трехбарьерных резонансно-туннельных диодов на основе графена-амперные характеристики (ВАХ) трех-, четырех- и пятибарьерных
резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена на
Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типаАбрамов, И. И.,
Коломейцева, Н. В.,
Лабунов, В. А.,
Романова, И. А.,
Abramov, I. I.,
Kolomejtseva, N. V.,
Labunov, V. A.,
Romanova, I. A. С использованием разработанных численных моделей проведено моделирование
резонансно