Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells

Voytsekhovskiy, Alexander V., Gorn, Dmitriy Igorevich

Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:30:20Z

Ключевые слова:
квантовые ямы, молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-структуры, теллурид кадмия ртути

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 34-38

Связанные документы (рекомендация CORE)