Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Izhnin, I. I.; Nesmelov, Sergey N.; Dzyadukh, Stanislav M.; Voytsekhovskiy, Alexander V.; Gorn, Dmitriy Igorevich; Fitsych, E. I.

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Izhnin, I. I., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Voytsekhovskiy, Alexander V., Gorn, Dmitriy Igorevich, Fitsych, E. I.

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:41:52Z

Ключевые слова:
теллурид кадмия ртути, МДП-структуры, адмиттанс, квантовые ямы

Тип: статьи в сборниках

Источник: The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015) : abstracts book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference, 26-29 August 2015. Lviv, 2015. P. 364

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация