Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K

Voytsekhovskiy, Alexander V., Gorn, Dmitriy Igorevich

Дата публикации: 2013

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:47:03Z

Ключевые слова:
МДП-структуры, теллурид кадмия ртути, квантовые ямы, электрофизические характеристики

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 10/3. С. 206-208

Связанные документы (рекомендация CORE)