Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga 2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga 2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

Yakovlev, Nikita N., Almaev, Aleksei V., Butenko, Pavel N., Mikhaylov, A. N., Pechnikov, Aleksei I., Stepanov, Sergey I., Timashov, R. B., Chikiryaka, A. V., Nikolaev, Vladimir I.

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2023-02-21T14:36:10Z

Аннотация:

Ключевые слова:
газофазная эпитаксия, галогениды, ионная имплантация, газовая чувствительность

Тип: статьи в журналах

Источник: Materials physics and mechanics. 2022. Vol. 48, № 3. P. 301-307

Связанные документы (рекомендация CORE)