Поиск

Материалов:
980 144

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

Автор

Ключевое слово

Тип статьи

DOI

ORCID

Дополнительно:

Период публикации

Репозиторий

По вашему запросу найдено документов: 38093

Страница 6 из 3810

ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДУГОВОГО РАЗРЯДА ПРИ НИЗКИХ ДАВЛЕНИЯХ

Бекасов В.С., Варданян Э.Л., Кудрявцев А.А., Нагимов Р.Ш., Рамазанов К.Н.

напряжении 30 В. Построен график распределения концентрации электронов и ионов. Построена вольтамперная

Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния ₄H-SiC

Рыбалка, С. Б., Краюшкина, Е. Ю., Хвостов, В. А., Демидов, А. А.

Вольт-амперная характеристика диода Шоттки ₄H-SiC с контактом Шоттки из Ni в прямом направлении

DYE-SENSITIZED SOLAR CELLS BASED ON TITANIUM DIOXIDE

Kanametov A.Kh.

солнечного элемента, таких как вольт-амперная характеристика, изменения КПД и фактора заполнения в

Characteristic Physical–Mechanical and High–Temperature Electric Properties Semicinductor Ceramic Based SnO2 with Addition MnO2 and CuO

Dobrosmyslov, Sergey S., Kirko, Vladimir I., Nagibin, Gennady E., Resinkina, Oksana A., Popov, Zahar I., Добросмыслов, С.С., Кирко, В.И, Нагибин, Г.Е., Резинкина, О.А., Попов, З.И.

%SnO2-2%Sb2O3-2%MnO2 вольтамперная характеристика имеет нелинейный вид и присутствует гистерезис

Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs

Верхолетов, Максим Георгиевич, Королева, Анастасия Дмитриевна, Толбанов, Олег Петрович, Прудаев, Илья Анатольевич

экспериментальными данными показывает, что S-образная вольт-амперная характеристика диффузионных лавинных S

Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC

Рыбалка, С. Б., Краюшкина, Е. Ю., Демидов, А. А., Дракин, А. Ю., Зотин, В. Ф.

Рассчитана и смоделирована вольт-амперная характеристика диода Шоттки 4H-SiC в прямом и обратном

Влияние температуры быстрого термического отжига на электрофизические свойства омического контакта металлизации Ti/Al/Ni к гетероструктуре GaN/AlGaN

Юник, А. Д., Соловьев, Я. А., Жигулин, Д. В.

гетероструктуры происходит по всей глубине, двумерный электронный газ деградирует, а вольт-амперная

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Баевич, Г.А.

Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния ₄H-SiC

Рыбалка, С. Б., Краюшкина, Е. Ю., Хвостов, В. А., Демидов, А. А.

Вольт-амперная характеристика диода Шоттки ₄H-SiC с контактом Шоттки из Ni в прямом направлении

Физика полупроводниковых приборов : тексты лекций

Баевич, Г.А.

Страница 6 из 3810