Поиск

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Автор

Ключевое слово

Тип статьи

DOI

ORCID

Дополнительно:

Период публикации

Репозиторий

По вашему запросу найдено документов: 1005012

Страница 1 из 100502

Thermal characteristics of gasoline engine powered by petrol and LPG under variable speed, compression ratio

Al-Dawody M.F., Aboud E.D., Al-Farhany K., Al-Obaidi W., Al-Chlaihawi K.K., Kadhim M.Q.

Molecular diversity and genetic potential of new maize inbred lines across varying sowing conditions in arid environment

Galal A.A., Safhi F.A., Al Aboud N.M., Aljabri M., Kucher D.E., Kamara M.M., El-Mogy M.M., Ibrahim O.M., El-Moneim D.A., Hassanin A.A., El-Soda M., Mansour E., Ali A.M.

How circular design can contribute to social sustainability and legacy of the FIFA World Cup Qatar 2022™? The case of innovative shipping container stadium

Kucukvar M., Kutty A.A., Al-Hamrani A., Kim D., Nofal N., Onat N.C., Ermolaeva P., Al-Ansari T., Al-Thani S.K., Al-Jurf N.M., Bulu M., Al-Nahhal W.

Aboud (RAA) is designed as a fully reusable and modular shipping container stadium, which

SEXUALLY-TRANSMITTED INFECTIONS IN HIV INFECTED PATIENTS

Э. Р. Манапова, E. R. Manapova, В. Х. Фазылов, V. H. Fazylov, А. Т. Бешимов, A. T. Beshimov

Определение времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом с использованием лазерной интерферометрии

Юник, А. Д., Соловьёв, Я. А., Шидловский, А. Г.

атмосфере Cl2/N2/O2 слоев p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN. Установлено, что при

Modeling AlGaN p-i-n photodiodes

Vorsin, N., Gladyshchuk, A., Kushner, T., Tarasiuk, N., Chugunov, S., Borushko, M.

software to create a model of a p-i-n photodiode based on AlGaN alloy.

Effect of the Beryllium Acceptor Impurity upon the Optical Properties of Single-Crystal AlN

Mokhov E.N., Rabchinskiy M.K., Nagalyuk S.S., Gafurov M.R., Kazarova O.P.

that the postgrowth doping of AlN with Be brings about the compensation of shallow Si donor centers uncontrollably

FEATURES OF OBTAINING p-(Al)GaN FOR OPTOELECTRONIC DEVICES IN THE BLUE, GREEN AND NEAR UV REGIONS OF THE SPECTRUM

Khoteeva A.V., Sabitov D.R., Marmalyuk A.A.

and AlGaN. It is shown that analysis of the photoluminescence spectra of such samples makes it possible

Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом

Юник, А. Д., Шидловский, А. Г.

атмосфере Cl2/N2/O2 слоев GaN, p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типов AlGaN/GaN и p-GaN/AlGaN/GaN

Закономерности деформации и разрушения покрытий на основе системы Ti-Al-N при механическом нагружении

Шугуров, Артур Рубинович

Закономерности деформации и разрушения покрытий на основе системы Ti-Al-N при механическом

Страница 1 из 100502