Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs

Afonin, A. G., Brudnyi, Valentin N., Brudnyi, P. A., Velikovskii, L. E.

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2021-03-09T16:26:53Z

Аннотация:

Ключевые слова:
радиационная стойкость, уровень зарядовой нейтральности, транзисторы с высокой подвижностью электронов

Тип: статьи в журналах

Источник: Russian physics journal. 2020. Vol. 62, № 9. P. 1656-1662

Связанные документы (рекомендация CORE)