Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

По вашему запросу найдено документов: 44170

Страница 11 из 4417

Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов

Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу

Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Квантовая радиофизика : лабораторный практикум

Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Значение научных контактов провинциальных ученых в развитии научно-образовательного комплекса Западной Сибири : (по материалам переписки В. Д. Кузнецова второй половины 1920-х гг.)Кузнецов, Владимир Дмитриевич физик 1887-1963

Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов

Страница 11 из 4417