По вашему запросу найдено документов: 2813
Страница 3 из 282
Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4кристаллы
Новые активные среды для перестраиваемых твердотельных лазеров, излучающих в диапазоне 2-3 мкмОбъект исследования - кристаллы Cr:CdxMn1-xTe (Cr:CMT) (х=0,85-0,55) и Cr:CdSe. Цель работы
Применение метода эквивалентных орбит к расчету структуры валентных зон некоторых ковалентных кристаллов : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.кристаллы ковалентные
Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИОсновные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
Идеальные кристаллы и упрочняющие технологииИдеальные кристаллы и упрочняющие технологии
Влияние примесей сурьмы и теллура на электрические свойства селена : [диссертация].электрические свойства полупроводников
Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.Физика полупроводников и диэлектриков
Диагностика полупроводников с помощью магнитооптических и магнитоплазменных эффектовДиагностика полупроводников с помощью магнитооптических и магнитоплазменных эффектов
Технология полупроводниковТехнология полупроводников
Страница 3 из 282
Фасеты
Новости проекта
Новости
-
2021-09-22, 21:09Cambridge University Press и Университет Вайоминга заключили соглашение об открытом доступе
-
2021-09-20, 21:07Журнал ION NAVIGATION переходит на открытый доступ с 1 января
-
2021-09-17, 11:39Журналы AAS полностью перейдут на модель открытого доступа
-
2021-09-15, 00:38Для перехода на зеленую энергию необходимо больше научной коммуникации
-
2021-09-12, 10:08Австралия отказалась от идеи запретить препринты
Партнеры
Индексация
