Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 9382

Страница 7 из 939

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxyкремний

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемниковгерманий

Моделирование кремниевого p–i–n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus»кремний

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электроновгерманий

Применение ионообменных смол при химико-спектральном методе анализа высокочистых материалов : диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук.кремний

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножениягерманий

Моделирование электронных свойств напряженного кремния на германиевой подложкекремний

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германиякремний

Выращивание монокристаллов германия с контролируемыми структурой, содержанием примесей и оптическими свойствами контейнерных материалов, исследованию поведения кислорода в германии и его влияния на структурное совершенство

Выращивание монокристаллов германия с контролируемыми структурой, содержанием примесей и оптическими свойствами контейнерных материалов, исследованию поведения кислорода в германии и его влияния на структурное совершенство

Страница 7 из 939