Поиск

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

Автор

Ключевое слово

Тип статьи

DOI

ORCID

Дополнительно:

Период публикации

Репозиторий

По вашему запросу найдено документов: 1913

Страница 3 из 192

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович, Копьев, Виктор Васильевич

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1

Веревкин, Сергей Сергеевич, Колин, Николай Георгиевич, Корулин, Алексей Викторович, Брудный, Валентин Натанович

Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2

Титов, Константин Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович

Моделирование GaN HEMT - транзистора с использованием программного пакета Sentaurus TCAD: магистерская диссертация по направлению подготовки: 03.04.02 - Физика

Курчин, Константин Николаевич

Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете

Брудный, Валентин Натанович, Ивонин, Иван Варфоломеевич, Толбанов, Олег Петрович, Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Брудный, Валентин Натанович, Кривов, Михаил Алексеевич (научный руководитель)

Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs

Горлачук, Павел Владимирович, Рябоштан, Юрий Леонидович, Брудный, Валентин Натанович, Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Лелеков, Михаил Александрович, Мармалюк, Александр Анатольевич

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C

Романов, Иван Сергеевич, Прудаев, Илья Анатольевич, Брудный, Валентин Натанович

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович, Копьев, Виктор Васильевич, Новиков, Вадим Александрович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Курешов, Владимир Александрович, Сабитов, Дамир Равильевич, Мазалов, Александр Владимирович, Прудаев, Илья Анатольевич

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Олейник, Владимир Леонидович, Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович, Рябоштан, Юрий Леонидович, Горлачук, Павел Владимирович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Прудаев, Илья Анатольевич

Страница 3 из 192