Исследование двухбарьерной резонансно- туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной моделиАбрамов, И. И.,
Гончаренко, И. А.,
Коломейцева, Н. В.,
Abramov, I. I.,
Goncharenko, I. A.,
Kolomejtseva, N. V. характеристики (ВАХ) двухбарьерной
резонансно-туннельной структуры (РТС)
на основе GaAs/AlAs с протяженными
Численное моделирование трехбарьерных резонансно-туннельных диодов на основе графена-амперные характеристики (ВАХ) трех-, четырех- и пятибарьерных
резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена на
Моделирование резонансно-туннельных структур на основе углеродных нанотрубок : отчет о НИР (заключ.)Моделирование
резонансно-туннельных структур на основе углеродных нанотрубок : отчет о НИР (заключ.)
Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированиемВ работе рассмотрено моделирование вольт-амперных характеристик (ВАХ)
резонансно-туннельных диодов
Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типаАбрамов, И. И.,
Коломейцева, Н. В.,
Лабунов, В. А.,
Романова, И. А.,
Abramov, I. I.,
Kolomejtseva, N. V.,
Labunov, V. A.,
Romanova, I. A. С использованием разработанных численных моделей проведено моделирование
резонансно Оптический позиционер для георадара проведения радиоволновых измерений.
Локация измерительного блока георадара производится в реальном времени на