Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазонеРеконструкция
поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
Повышение надежности корпуса полупроводникового прибора противостоять разрушению вследствие воздействия внешней силы, равномерно распределенной по
поверхности