По вашему запросу найдено документов: 335
Страница 5 из 34
Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксиимолекулярно-лучевая эпитаксия
Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTeмолекулярно-лучевая эпитаксия
Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл–диэлектрик–полупроводникмолекулярно-лучевая эпитаксия
Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTeмолекулярно-лучевая эпитаксия
The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te filmsмолекулярно-лучевая эпитаксия
Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structuresмолекулярно-лучевая эпитаксия
Influence of the preliminary annealing conditions on step motion at the homoepitaxy on the Si(100) surfaceмолекулярно-лучевая эпитаксия
Модель ступенчато-слоевого роста боковых граней и развития формы полупроводниковых нитевидных нанокристалловэпитаксия
Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)молекулярно-лучевая эпитаксия
Страница 5 из 34
Фасеты
Новости проекта
Новости
-
2021-09-22, 21:09Cambridge University Press и Университет Вайоминга заключили соглашение об открытом доступе
-
2021-09-20, 21:07Журнал ION NAVIGATION переходит на открытый доступ с 1 января
-
2021-09-17, 11:39Журналы AAS полностью перейдут на модель открытого доступа
-
2021-09-15, 00:38Для перехода на зеленую энергию необходимо больше научной коммуникации
-
2021-09-12, 10:08Австралия отказалась от идеи запретить препринты
Партнеры
Индексация
