Двухсторонняя литография - решение проблем отвода тепла и разводки межсоединенийПо мере повышения степени интеграции
ИМС возникают две проблемы. Первая – увеличивается площадь
Особенности моделирования ИМС c нанометровыми размерами элементовОсобенности моделирования
ИМС c нанометровыми размерами элементов
Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем. Рассматриваются основные понятия, используемые в микроэлектронике, классификация интегральных микросхем (
ИМС), их
Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем. Рассматриваются основные понятия, используемые в микроэлектронике, классификация интегральных микросхем (
ИМС), их
Ионно-лучевые технологии как средство анализа топологии интегральной микросхемы (ИМС) избирательного препарирования
ИМС, но и дают доступ к ранее невозможным операциям ремонта и модификации сложных
Выявление дефектов интегральной микросхемы (ИМС) посредством ионно-лучевого травления ИМС, но также позволяют осуществлять модификацию или ремонт сложных объектов посредством