Поиск

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Автор

Ключевое слово

Тип статьи

DOI

ORCID

Дополнительно:

Период публикации

Репозиторий

По вашему запросу найдено документов: 2624

Страница 9 из 263

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD

Курчин, Константин Николаевич

нитрид галлия

Электрохимические свойства вакуумно-плазменных покрытий, сформированных на основе систем Ti-N и Cr-N

Даниленок, М. М., Ходасевич, В. В., Дроздович, Валерий Брониславович, Чаевский, Вадим Витальевич

нитрид титана

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Romanov, I. S., Brudnyi, Valentin N., Kopyev, V. V., Novikov, Vadim A., Marmalyuk, A. A., Kureshov, V. A., Sabitov, D. R., Mazalov, A. V., Prudaev, Ilya A.

нитрид галлия

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Романов, Иван Сергеевич, Брудный, Валентин Натанович, Копьев, Виктор Васильевич, Новиков, Вадим Александрович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Курешов, Владимир Александрович, Сабитов, Дамир Равильевич, Мазалов, Александр Владимирович, Прудаев, Илья Анатольевич

нитрид индия-галлия

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Prudaev, Ilya A., Romanov, I. S., Brudnyi, V. N., Kopyev, V. V.

нитрид индия-галлия

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Prudaev, Ilya A., Baktybaev, A. A., Romanov, I. S., Zubrilkina, Yu. L.

нитрид индия-галлия

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Олейник, Владимир Леонидович, Копьев, Виктор Васильевич

нитрид индия-галлия

Влияние условий осаждения на свойства многослойных покрытий на основе нитридов Zr, Ti, Al и Si, синтезированных плазменно-ассистированным катодно-дуговым напылением

Савостиков, Виктор Михайлович, Денисова, Юлия Александровна, Денисов, Владимир Викторович (канд. техн. наук), Леонов, Андрей Андреевич, Овчинников, Станислав Владимирович, Савчук, Михаил Викторович

нитрид циркония

Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN

Ворсин, Н. Н., Гладыщук, А. А., Кушнер, Т. Л., Тарасюк, Н. П., Чугунов, С. В.

нитрид галлия

Кинетика электроосаждения бора в расплаве KF-AlF[3]-Al[2]O[3]-B[2]O[3]

Филатов, А. А., Суздальцев, А. В., Зайков, Ю. П.

В данной работе изучена кинетика электроосаждения бора из расплава KF-AlF[3]-Al[2]O[3]-B[2]O[3] с

Страница 9 из 263