Поиск

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Автор

Ключевое слово

Тип статьи

DOI

ORCID

Дополнительно:

Период публикации

Репозиторий

По вашему запросу найдено документов: 1005012

Страница 11 из 100502

Mossbauer study of iron-based superconductor Fe1.09Se0.5Te0.5

Kiiamov Airat Gazinurovich, Ivanova Anna Gennadevna, Vagizov Farit Gabdulhakovich, Tayurskii Dmitrii Albertovich, Tagirov Lenar Rafgatovich, Tsurkan V., Loidl A.

superconductor Fe1.09SeO.5TeO.5. Mossbauer spectra were collected in a temperature range from liquid helium up

Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs

Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Васильев, Владимир Васильевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Михайлович, Сидоров, Георгий Юрьевич

аналогичного параметра для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из GaAs(013).

Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич

Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом

Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия

Кособуцкий, Алексей Владимирович, Саркисов, Сергей Юрьевич

структуры слоистого полупроводника GaTe гексагональной модификации. Структурные параметры объемного

Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates

Izhnin, Igor I., Korotaev, A. G., Fitsych, O. I., Bonchyk, A. Yu., Savytskyy, H. V., Mynbaev, K. D., Varavin, V. S., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, N. N., Voytsekhovskiy, Alexander V., Yakushev, M. V., Jakiela, R.

A defect study was performed on arsenic-implanted Hg1-xCdxTe (x = 0.23–0.30) films with graded

Influence of size effects on the electronic structure of hexagonal gallium telluride

Kosobutsky, Alexey V., Sarkisov, Sergey Yu.

modification of the layered GaTe semiconductor has been calculated. The structural parameters of a bulk crystal

On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered ε-GaSe semiconductor

Brudnyi, Valentin N., Sarkisov, Sergey Yu., Kosobutsky, Alexey V.

The height of the (Au, Pd, Pt, Cu, Ag, Sn, In, Al, Mg, Ca, Li, Cs)/GaSe(0001) Schottky barrier as a

Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr

Новиков, Владимир Александрович, Пристай, Ольга Михайловна, Толбанов, Олег Петрович, Мокеев, Дмитрий Юрьевич

Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Izhnin, A. I., Mynbaev, Karim D., Bazhenov, N. L., Shilyaev, A. V., Mikhailov, Nikolay N., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Fitsych, Olena I., Voytsekhovskiy, Alexander V., Izhnin, Igor I.

Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs

A Laser Refraction Analyzer for Eyesight Improvement

Gudkov A.G., Leushin V.Y., Sidorov I.A., Agasieva S.V., Chizhikov S.V., Shashurin V.D., Gudkov G.A.

Страница 11 из 100502